企业简介
中微半导体设备（上海）有限公司 main business:大面积显示屏设备 and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
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中微半导体设备（上海）有限公司的工商信息
- 310115400151472
- 913101157626272806
- 存续（在营、开业、在册）
- 有限责任公司(中外合资)
- 2004年05月31日
- 尹志尧（GERALD ZHEYAO YIN）
- 18534.494800
- 2004年05月31日 至 2034年05月30日
- 浦东新区市场监管局
- 2004年05月31日
- 上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号
- 研发、组装集成电路设备、泛半导体设备和其他微观加工设备及环保设备，包括配套设备和零配件，销售自产产品。提供技术咨询、技术服务。【不涉及国营贸易管理商品，涉及配额、许可证管理商品的，按照国家有关规定办理申请；依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动】。
中微半导体设备（上海）有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | TWI534890 | 电浆处理装置 | 2016.05.21 | 明公开了一种电浆处理装置，通过设置一带加热元件的电浆加热环，实现对反应腔内的电浆加热，满足蚀刻制程对 |
| 2 | TWI534888 | 利用可切换功率发生器的高深宽比微结构刻蚀方法 | 2016.05.21 | 明公开一种利用可切换功率发生器的高深宽比微结构刻蚀方法，高深宽比微结构刻蚀方法包含以下步骤：1、输入 |
| 3 | TWI534887 | 一种等离子体处理设备及其中的温度隔离装置 | 2016.05.21 | 明涉及一种等离子体处理设备及其中的温度隔离装置；所述等离子体处理设备设置有能够密闭的腔室，所述腔室的 |
| 4 | TWI534943 | 等离子体处理装置及其温度测试装置 | 2016.05.21 | 明提供了一种等离子体处理装置及其温度测试装置，其中，所述等离子体处理装置包括一放置基片的基台，所述基 |
| 5 | TWI534926 | 半导体处理装置及制作方法 | 2016.05.21 | 半导体处理装置及制作方法，所述半导体处理装置包括：处理腔室，所述处理腔室用于通入源气体，对放置于处理 |
| 6 | CN103972055B | 光刻胶去除方法 | 2016.09.07 | 本发明公开了一种光刻胶去除方法。其包括：采用主要含氧等离子工艺，去除介电层顶部平面的所有光刻胶以及刻 |
| 7 | CN103050396B | 多层介质刻蚀方法 | 2016.08.03 | 本发明涉及半导体技术领域，公开了一多层介质刻蚀方法，包括步骤：提供半导体基底，其表面依次覆盖有多层介 |
| 8 | CN105742203A | 一种改变气体流动模式的装置及晶圆处理方法和设备 | 2016.07.06 | 本发明涉及一种改变处理腔室内气体流动模式的装置及晶圆处理方法和系统；基于通过进气口引入到处理腔室的气 |
| 9 | CN104217914B | 等离子体处理装置 | 2016.12.28 | 本发明提供一种等离子体处理装置，其中，所述等离子体处理装置包括一反应腔室，所述反应腔室内设置有相互平 |
| 10 | CN105990081A | 等离子体处理装置及其制作方法 | 2016.10.05 | 一种等离子体处理装置及其制作方法，所述等离子体处理装置包括：至少一个暴露于等离子体的部件，所述部件包 |
| 11 | CN105789011A | 感应耦合型等离子体处理装置 | 2016.07.20 | 本发明公开了一种感应耦合型等离子体处理装置，包括：反应腔室，与反应腔室顶部连通的绝缘套筒，套在绝缘套 |
| 12 | CN103794460B | 用于半导体装置性能改善的涂层 | 2016.12.21 | 用于半导体装置性能改善的涂层，等离子体处理腔室具有增强型涂层的气体喷淋头和延伸的下电极。所述延伸的下 |
| 13 | CN103811331B | 一种具有倾斜侧壁刻蚀孔的刻蚀方法 | 2016.12.21 | 本发明提供一种具有倾斜侧壁的刻蚀孔刻蚀方法，所述刻蚀方法用于刻蚀的基片上依次形成有刻蚀停止层、刻蚀目 |
| 14 | CN103839745B | 一种摇摆式等离子体约束装置 | 2016.06.22 | 本发明公开了一种摇摆式等离子体约束装置，设置在等离子体刻蚀设备反应腔内，其特点是，该摇摆式等离子体约 |
| 15 | CN104282518B | 等离子体处理装置的清洁方法 | 2016.12.28 | 本发明提供了一种等离子体处理装置的清洁方法，其中，所述等离子体处理装置包括一腔室，基片放置于腔室之中 |
| 16 | CN105719928A | ICP刻蚀中对刻蚀速率非均匀性进行补偿的装置和方法 | 2016.06.29 | 一种ICP刻蚀中对刻蚀速率非均匀性进行补偿的装置和方法，在ICP刻蚀器件中设置补偿装置，其包含至少一 |
| 17 | CN105722261A | 一种ICP刻蚀器件中的加热组件及加热组件设置方法 | 2016.06.29 | 一种ICP刻蚀器件中的加热组件及加热组件设置方法，将一根完整的电阻丝组件分层设置，每一层电阻丝部分形 |
| 18 | CN103794457B | 一种等离子体处理设备及其中的温度隔离装置 | 2016.08.03 | 本发明涉及一种等离子体处理设备及其中的温度隔离装置；所述等离子体处理设备设置有能够密闭的腔室，所述腔 |
| 19 | CN103964686B | 一种用于等离子处理腔室的石英组件及等离子体处理设备 | 2016.10.26 | 本发明提供一种用于等离子处理腔室的石英组件，其特征在于，所述石英组件由氧化硅基材料制成，其中，所述氧 |
| 20 | CN105789008A | 等离子体处理装置及等离子体刻蚀方法 | 2016.07.20 | 本发明公开了一种等离子体处理装置，包括反应腔室，其具有进气单元、载置待处理基片的基座，第一气体集中环 |
| 21 | CN103700622B | 硅通孔的形成方法 | 2016.11.02 | 一种硅通孔的形成方法，包括：提供半导体衬底；进行第一刻蚀步骤，刻蚀半导体衬底，在半导体衬底中形成第一 |
| 22 | CN106191812A | 化学气相沉积装置及清洁其排气口的方法 | 2016.12.07 | 本发明提供一种化学气相沉积装置及清洁其排气口的方法。其中的化学气相沉积装置，包括：具有内部处理空间的 |
| 23 | CN106191809A | 一种化学气相沉积装置及其清洁方法 | 2016.12.07 | 一种化学气相沉积装置，包括：反应腔，位于反应腔上方的反应区域和位于反应腔底部的排气区域，联通到反应腔 |
| 24 | CN103928283B | 一种真空处理腔室的射频脉冲功率匹配的方法及其装置 | 2016.06.15 | 本发明提供一种真空处理腔室的射频脉冲功率匹配的方法及其装置，包括以下步骤：预设第一射频脉冲信号发生器 |
| 25 | CN105702548A | 屏蔽装置及具有该屏蔽装置的等离子体处理装置 | 2016.06.22 | 本发明公开了一种用于从等离子体中选择性地阻止带电粒子通过的屏蔽装置，包括：位于反应腔室内的第一屏蔽板 |
| 26 | CN105789088A | 一种提高晶片处理良率的蚀刻装置及其蚀刻方法 | 2016.07.20 | 本发明公开了一种提高晶片处理良率的蚀刻装置及其蚀刻方法，蚀刻装置包含蚀刻反应腔、设置在蚀刻反应腔上部 |
| 27 | CN103165380B | 一种降低射频耦合的等离子体处理装置及载置台 | 2016.07.06 | 本发明提供一种降低射频耦合的等离子体处理装置的载置台，所述载置台用于载置被处理基板，所述载置台至少包 |
| 28 | CN103811260B | 一种等离子反应器及其处理方法 | 2016.06.08 | 本发明提供一种等离子反应器及其处理方法。上述等离子反应器包括上下相对的电极，其中上电极周围围绕有一个 |
| 29 | CN103560068B | 均匀改变等离子体分布的等离子处理装置及其控制方法 | 2016.06.08 | 本发明公开一种均匀改变等离子体分布的等离子处理装置，该装置包含：处理室，用于容纳处理气体；绝缘窗，其 |
| 30 | CN103035508B | 特征尺寸收缩方法 | 2016.09.07 | 本发明涉及半导体技术领域，公开了一特征尺寸收缩方法，采用CO替代传统的碳氟化合物以及含H的碳氟化合物 |
| 31 | CN205473975U | 一种用于MOCVD反应器的气体混合装置 | 2016.08.17 | 一种用于MOCVD反应器的气体混合装置，包括：一进气体管道包括第一端和第二端，第一端包括一个第一气体 |
| 32 | CN103866286B | 用于半导体基片反应室内部的部件及制造方法 | 2016.12.28 | 本发明公开了一种半导体基片反应室内部的部件及其制造方法，在铝或铝合金部件主体表面进行微弧氧化技术替代 |
| 33 | CN104377106B | 等离子体反应腔室阻抗自动匹配方法 | 2016.12.28 | 本发明涉及一种等离子体反应腔室阻抗的自动匹配方法，包括如下步骤：a)、设定可调阻抗元件的初始阻抗值； |
| 34 | CN104282519B | 等离子体处理装置的清洁方法 | 2016.12.28 | 一种等离子体处理装置的清洁方法，其中，所述等离子体处理装置包括一腔室，基片放置于腔室之中进行制程，其 |
| 35 | CN103794458B | 用于等离子体处理腔室内部的部件及制造方法 | 2016.12.21 | 一种用于等离子体处理腔室的部件的增强型涂层，所述增强型涂层形成于未密封的阳极化处理表面上。在涂层形成 |
| 36 | CN103633003B | 一种静电卡盘 | 2016.12.21 | 本发明提供一种静电卡盘，用于等离子体处理装置中固定待加工件，其包括：第一绝缘层；电极，位于所述第一绝 |
| 37 | CN106611701A | 一种半导体器件的制备方法 | 2017.05.03 | 本发明提供了一种半导体器件制备方法，在同一等离子体反应腔室内进行，包括：向反应腔室中通入第一刻蚀工艺 |
| 38 | CN106611691A | 多频脉冲等离子体处理装置及其处理方法和清洗方法 | 2017.05.03 | 本发明涉及一种多频脉冲等离子体处理装置，包含：反应腔室；其内顶部设有喷淋头，该喷淋头处设有第一电极； |
| 39 | CN104752143B | 一种等离子体处理装置 | 2017.05.03 | 一种等离子体处理装置，包括：反应腔，反应腔内包括一个基座，基座上设置有静电夹盘，待处理基片设置在所述 |
| 40 | CN103796413B | 等离子反应器及制作半导体基片的方法 | 2017.05.03 | 本发明提供一种电感耦合等离子反应器，其中，包括封闭壳体，其中所述封闭壳体的至少部分顶板由绝缘材料制成 |
| 41 | CN106609358A | 一种化学气相沉积装置及其清洁方法 | 2017.05.03 | 本发明公开了一种化学气相沉积装置及其清洁方法，通过在气体抽取部件内设置多个清洁部件，使得多个清洁部件 |
| 42 | CN104347339B | 用于感应耦合等离子体腔室中射频窗的加热器 | 2017.04.05 | 一种用于感应耦合等离子体腔室中射频窗的加热器，为镂空结构，该加热器包含上绝缘层、下绝缘层、以及设置在 |
| 43 | CN103779271B | 一种倒锥形轮廓刻蚀方法 | 2017.04.05 | 本发明提供一种倒锥形轮廓刻蚀方法，包括以下步骤：(a)在衬底上依次形成底层金属连线和绝缘介质层；(b |
| 44 | CN104296887B | 一种实现稳定测温的测温装置及其所在的半导体设备 | 2017.04.05 | 本发明公开了一种实现稳定测温的测温装置及其所在的半导体设备，通过在测温装置的绝缘管内部设置热电极固定 |
| 45 | CN106548917A | 调节等离子体刻蚀腔内器件温度的装置及其温度调节方法 | 2017.03.29 | 一种调节等离子体刻蚀腔内器件温度的装置及其温度调节方法，该温度调节装置设置在等离子体刻蚀腔内，包含设 |
| 46 | CN106548958A | 一种整合多功能腔以及基片处理系统 | 2017.03.29 | 本发明公开了一种整合多功能腔，其包含：处理腔，其设置在所述的整合多功能腔内上方，其一端连接所述的前端 |
| 47 | CN106548914A | 一种等离子体处理设备及其清洗系统和方法 | 2017.03.29 | 本发明涉及一种等离子体处理设备及其清洗系统和方法，在反应腔室的腔壁内侧布置移动环，并在所述移动环内设 |
| 48 | CN106548957A | 一种处理腔以及基片处理系统 | 2017.03.29 | 本发明公开了一种处理腔，所述的处理腔的一端连接所述的前端模块，用于在前端模块与处理腔之间传输基片，其 |
| 49 | CN106548915A | 一种载片台及相应的等离子体处理装置 | 2017.03.29 | 本发明公开了一种载片台，用于在等离子体刻蚀工艺中承载基片，所述基片位于所述载片台上方，该载片台包含： |
| 50 | CN106544639A | 防止堵塞的气体抽取装置及设置该装置的MOCVD设备 | 2017.03.29 | 本发明公开了一种防止堵塞的气体抽取装置，以及设置有该气体抽取装置的MOCVD设备。所述的MOCVD设 |
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